• <output id="birma"></output>
    <output id="birma"><form id="birma"></form></output>

    <code id="birma"><ol id="birma"></ol></code>

    安徽國企

    熱點推薦

    您現在的位置:首頁 > 國企 > 國家電網 > 閱讀資料 >

    2020國家電網招聘考試:自動控制類-模擬電子技術重要知識點

    2019-07-30 15:27:05| 安徽中公教育網

    知識點1——半導體二極管

    1.半導體有以下特點:

    a.半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間。

    b.半導體受外界光和熱的刺激時,其導電能力將會有顯著變化。

    c.在純凈半導體中,加入微量的雜質,其導電能力會急劇增強。

    2.本征半導體中的自由電子和空穴數總是相等的。

    3.N型半導體——摻入五價雜質元素(如磷)的半導體,主要靠自由電子導電。

    P型半導體——摻入三價雜質元素(如硼)的半導體,主要靠空穴導電。

    無論是N型半導體還是P型半導體對外不顯電性,呈電中性。

    4.摻入雜質對本征半導體的導電性有很大的影響。

    5.二極管具有單向導電性

    知識點2——半導體三極管

    1.三極管的結構:NPN和PNP

    工作在放大區時,NPN型管:VC>VB>VE,PNP型管:VE>VB>VC

    2.三極管的工作狀態:放大狀態、飽和狀態、截止狀態。

    放大狀態:發射結正偏,集電結反偏,滿足IC=βIB;

    飽和狀態:發射結正偏,集電結正偏;

    截止狀態:發射結反偏,集電結反偏;

    3.三極管的組成及輸入特性曲線和輸出特性曲線。

    4.溫度對晶體管參數的影響

    幾乎所有晶體管參數都與溫度有關,因此不容忽視。溫度對下列三個參數的影響最大。

    (1)溫度對ICBO的影響:溫度每升高1oC,ICBO增大一倍。

    (2)溫度對β的影響:溫度升高時β隨之增大。

    (3)溫度對發射結電壓VBE的影響:溫度每升高1oC,|VBE|約減小2~2.5mV。

    溫度升高使集電極電流IC升高。

    知識點3——放大電路

    1.放大電路的分析方法:圖解法和微變等效電路法(小信號模型法)

    圖解法:主要用于大信號放大器分析,微變等效分析法用于低頻小信號放大器的動態分析。

    2.放大器的非線性失真分析:飽和失真、截止失真、雙向失真。

    飽和失真:應該增大電阻Rb,使IB減小,從而使靜態工作點下移放大區域中心。

    截止失真:應該減小電阻Rb,使IB增大,從而使靜態工作點上移到放大區域中心。

    雙向失真:為了消除雙向失真,應減小輸入信號的幅度。

    1 2

     注:本站稿件未經許可不得轉載,轉載請保留出處及源文件地址。
    (責任編輯:安徽中公NO.3)

    免責聲明:本站所提供真題均來源于網友提供或網絡搜集,由本站編輯整理,僅供個人研究、交流學習使用,不涉及商業盈利目的。如涉及版權問題,請聯系本站管理員予以更改或刪除。

    微信公眾號
    微博二維碼
    咨詢電話(8:30-21:00)

    400 6300 999

    在線客服 點擊咨詢

    投訴建議:400 6300 999轉4

    87fuli影视院